[发明专利]设计喷洒气流以镀膜均匀硅薄膜无效
| 申请号: | 201110279645.X | 申请日: | 2011-09-20 |
| 公开(公告)号: | CN103014661A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
| 发明(设计)人: | 戴嘉男;刘幼海;刘吉人 | 申请(专利权)人: | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/24;C23C16/52 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 201707 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本发明主要目的是设计showerhead气流以镀膜均匀硅薄膜。其系统内部主要包含了入口端、抽真空腔、P.I.N型半导体制程腔、破真空腔及出口端。在每个腔体内都设有传动滚轮及真空Pump,及Slit valve,而在制程腔内部则有加热装置、RF电极板,以及最重要的showerhead,以进行制程。 | ||
| 搜索关键词: | 设计 喷洒 气流 镀膜 均匀 薄膜 | ||
【主权项】:
本发明主要目的是设计showerhead气流以镀膜均匀硅薄膜,其系统内部主要包含了入口端、抽真空腔、P.I.N型半导体制程腔、破真空腔及出口端,在每个腔体内都设有传动滚轮及真空Pump,及Slit valve,而在制程腔内部则有加热装置、RF电极板,以及最重要的showerhead,以进行制程;本发明最重要的就是showerhead设计,其主要是分成了三个部分,当气体从源头端流出时,会先到showerhead的第一层,此层的孔径主要是设计笔直状,能够让气体均匀的流出,接着气体会到达showerhead的第二层,此层的孔径也是笔直状,但是会与第一层有交错的设计,此主要就是让气体不要一次直接笔直到达TCO玻璃,在还没有开始扩散就被Pump抽气带走,且可以保持showerhead有均匀的气流,最后是到达showerhead的第三层,此层的设计是带有漏斗状的设计,其主要目的就是让气体能够像漏斗般的流出,能够完整均匀的流向TCO玻璃上,且不会受到蝶阀控压及Pump抽气而有扰流的情形,故此发明showerhead设计就可以让TCO玻璃有均匀的气体流向,且在RF电极开启Power的时候,这些均匀的气流就可以开始分解成硅原子,并且能够均匀的镀膜在玻璃上,藉此来得到均匀的膜层,并且能够追求有高效率的太阳能硅薄膜电池。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





