[发明专利]集成电路的制备方法及接触插塞结构的制备方法有效
| 申请号： | 201110278749.9 | 申请日： | 2011-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102760692A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 吴常明 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;吕俊清 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路的制备方法及接触插塞结构的制备方法，该接触插塞结构的制备方法的一实施例，包含下列步骤：于一半导体基板上形成一导电堆栈；于该导电堆栈上形成一图案化屏蔽；于该导电堆栈的一上部形成一凹部；于该凹部的表面及该图案化屏蔽上形成一间隙壁层；形成一屏蔽区块，填入该凹部；局部去除未被该屏蔽区块覆盖的间隙壁层；以及使用该屏蔽区块及该图案化屏蔽局部去除该导电堆栈以形成该接触插塞结构。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 制备 方法 接触 结构 | ||
【主权项】：
一种集成电路的制备方法，包含下列步骤：于一半导体基板中形成一栅极导体；于该半导体基板上形成一导电堆栈；于该导电堆栈的上部形成一凹部；至少于该凹部的表面形成一间隙壁层；形成一屏蔽区块，填入该凹部；局部去除未被该屏蔽区块覆盖的间隙壁层；以及局部去除未被该屏蔽区块覆盖的导电堆栈的下部，以曝露该栅极导体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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