[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201110278672.5 | 申请日： | 2011-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN103000571A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 刘煊杰;陈晓军 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其制作方法，所述制作方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成器件，且在所述半导体衬底上形成覆盖所述器件的层间介质层；形成贯穿层间介质层和部分半导体衬底的通孔结构；形成覆盖通孔结构的第一阻挡层；在第一阻挡层上形成互连结构，互连结构包括位于第一阻挡层上的第一金属层。所述半导体器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的层间介质层，层间介质层中包括器件；贯穿层间介质层和部分半导体衬底的通孔结构；覆盖通孔结构上的第一阻挡层；位于第一阻挡层上的互连结构，互连结构包括位于第一阻挡层上的第一金属层。本发明可以减少中通孔工艺中铜材料的TSV对铝的后段制程的污染。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成器件，且在所述半导体衬底上形成覆盖所述器件的层间介质层；形成贯穿所述层间介质层和部分所述半导体衬底的通孔结构，所述通孔结构的填充材料包括铜；形成覆盖所述通孔结构的第一阻挡层；在所述第一阻挡层上形成互连结构，所述互连结构包括位于所述第一阻挡层上的第一金属层，所述第一金属层的材料包括铝。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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