[发明专利]一种硅基激光器及其制备方法无效
| 申请号： | 201110278516.9 | 申请日： | 2011-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN102340097A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 李艳平;冉广照;洪涛;陈娓兮;秦国刚 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 邵可声 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基激光器及其制备方法，属于硅基光电子器件领域。本发明的激光器包括刻蚀有波导结构的SOI，化合物半导体激光器结构；所述激光器结构的键合面上依次设有周期分布的条形SiO2结构，相互导通的透明导电层；所述激光器结构通过透明导电层与SOI键合。本方法为：1)在SOI硅片的硅膜上刻蚀出硅波导和键合区；2)制备化合物半导体激光器结构；3)在所述激光器结构键合面上制备条形绝缘层；然后溅射透明导电氧化物薄膜；4)通过透明导电层将上述激光器结构键合在SOI硅片上。本发明降低了硅基激光器的工艺难度，缩短了制备周期，提高了器件效率和成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅基激光器，其特征在于包括刻蚀有波导结构的SOI，化合物半导体激光器结构；所述化合物半导体激光器结构的键合面上设有周期分布的条形SiO2结构，未分布所述条形SiO2结构的键合面以及所述条形SiO2结构上表面上设有相互导通的透明导电层；所述化合物半导体激光器结构中，与所述键合面相对的底面设有导电层；所述化合物半导体激光器结构通过所述透明导电层与所述SOI键合，其中，所述条形SiO2结构表面的所述透明导电层与所述SOI的键合区对应，未分布所述条形SiO2结构的键合面上所述透明导电层与所述SOI的耦合区对应。
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