[发明专利]半导体装置的驱动方法有效
申请号: | 201110278058.9 | 申请日: | 2011-09-08 |
公开(公告)号: | CN102403021A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 大贯达也 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | G11C7/12 | 分类号: | G11C7/12 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张金金;朱海煜 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明名称为半导体装置的驱动方法。本发明的一个方式的目的之一在于提供一种高速进行可靠性高的写入工作的半导体装置的驱动方法。在进行多值写入的半导体装置的驱动方法中,以沿着位线的方式配置控制进行写入的写入晶体管的导通截止的信号线,当写入时也利用当读出工作时对电容元件施加的电压,以对使用包括氧化物半导体层的晶体管的存储单元进行多值写入。通过在进行写入的同时检测出位线的电位,可以确认对应于写入数据的电位是否正常地施加到浮动栅极,而不进行写入校验工作。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 驱动 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置的驱动方法,该半导体装置包括:在源极线和位线之间串联连接的第一至第m存储单元;其栅极端子与第一选择线电连接的第一选择晶体管;以及其栅极端子与第二选择线电连接的第二选择晶体管,其中,所述第一至第m存储单元的每一个包括:设置在包含半导体材料的衬底上的第一晶体管,该第一晶体管包括第一源极端子、第一漏极端子以及与第一信号线电连接的第一栅极端子;包括氧化物半导体层的第二晶体管,该第二晶体管包括第二源极端子、第二漏极端子以及与第二信号线电连接的第二栅极端子;以及其一方的端子与m个字线中的一个电连接的电容元件,所述源极线通过所述第二选择晶体管与所述第m存储单元的所述第一源极端子电连接,所述位线通过所述第一选择晶体管与所述第一存储单元的所述第一漏极端子电连接,并且,所述第二源极端子、所述第一栅极端子、所述电容元件的另一方的端子彼此电连接而形成节点,所述方法包括:在对所述第二信号线供给电位使所述第二晶体管处于导通状态,且对所述第一信号线供给电位来对所述节点供给电位的写入工作中,通过对所述第一选择线及所述第二选择线供给电位使所述第一选择晶体管及所述第二选择晶体管处于导通状态,来检测出所述位线的电位。
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