[发明专利]SiC单晶的生长方法和由该方法生长的SiC单晶无效
| 申请号： | 201110272676.2 | 申请日： | 2005-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN102337587A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 木本恒畅;盐见弘;齐藤广明 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社;住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/20;C30B29/36;C23C16/32 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 郇春艳;樊卫民 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本申请涉及SiC单晶的生长方法和由该方法生长的SiC单晶。本发明提供一种可以以实用的生长速度生长可以用作半导体材料的低缺陷、低杂质的SiC单晶的4H-SiC单晶外延生长方法以及由该方法得到的4H-SiC单晶。本发明的方法包括在使4H-SiC单晶衬底的外延生长面相对于4H-SiC单晶的(0001)面在<11-20>轴方向上以至少12度且低于30度的偏角倾斜的同时通过外延生长在所述衬底上生长4H-SiC单晶。 | ||
| 搜索关键词： | sic 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种低缺陷、低杂质的SiC单晶生长方法，包括在使4H‑SiC单晶衬底的外延生长面相对于4H‑SiC单晶的(0001)面在<11‑20>轴方向上以至少12度且不超过18度的偏角倾斜的同时通过化学气相淀积(CVD)在所述衬底上进行4H‑SiC单晶的外延生长。
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