[发明专利]氮化镓基半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110271026.6 | 申请日： | 2011-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102403348A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 李哉勋;金基世 | 申请（专利权）人： | 三星LED株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了氮化镓(GaN)基半导体器件及其制造方法。GaN基半导体器件可以包括布置在散热衬底上的异质结构场效应晶体管(HFET)或肖特基二极管。HFET器件可以包括：GaN基多层，具有凹陷区域；栅极，布置在凹陷区域中；以及源极和漏极，布置在GaN基多层的在栅极(或凹陷区域)的两个相对侧的部分上。栅极、源极和漏极可以附接到散热衬底。凹陷区域可以具有双凹陷结构。当这样的GaN基半导体器件在被制造时，可以使用晶片接合工艺和激光剥离工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基半导体器件，包括：散热衬底；异质结构场效应晶体管器件，布置在所述散热衬底上，其中所述异质结构场效应晶体管器件包括：氮化镓基多层，具有靠近所述散热衬底的凹陷区域；栅极，布置在所述凹陷区域中；以及源极和漏极，布置在所述氮化镓基多层的在所述栅极的两个相对侧的部分上，并且所述栅极、所述源极和所述漏极附接到所述散热衬底。
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