[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110266729.X | 申请日： | 2011-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102403346A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 住友正清;樋口安史;深津重光 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/331 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括漂移层(3)、漂移层(3)上的基极层(4)和沟槽栅极结构(8)。每个沟槽栅极结构包括穿透基极层(4)到达漂移层(3)的沟槽(5)、沟槽(5)的壁表面上的栅极绝缘层(6)以及栅极绝缘层(6)上的栅电极(7)。所述沟槽栅极结构(8)的底部部分位于所述漂移层(3)中并在预定方向上扩展，使得在所述方向中，相邻沟槽栅极结构(8)的所述底部部分之间的距离(L1)小于相邻沟槽栅极结构(8)的开口部分之间的距离(L2)。底部部分中的栅极绝缘层(6)的厚度大于开口部分中的栅极绝缘层(6)的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一导电类型的漂移层(3)；所述漂移层(3)的前侧上的第二导电类型的基极层(4)；多个沟槽栅极结构(8)，每个沟槽栅极结构包括穿透所述基极层(4)到达所述漂移层(3)的沟槽(5)、所述沟槽(5)的壁表面上的栅极绝缘层(6)和所述栅极绝缘层(6)上的栅电极(7)，所述沟槽栅极结构(8)的长度方向平行于所述漂移层(3)的平面方向，宽度方向平行于所述漂移层(3)的所述平面方向且垂直于所述长度方向，深度方向垂直于所述漂移层(3)的所述平面方向；位于所述基极层(4)的表面部分中并与所述沟槽栅极结构(8)相邻设置的第一导电类型的发射极层(9)；以及与所述发射极层(9)隔着所述漂移层(3)设置的第二导电类型的集电极层(1)，其中所述沟槽栅极结构(8)具有底部部分和开口部分，所述底部部分界定所述沟槽栅极结构(8)的底部，所述开口部分在所述深度方向上位于所述沟槽栅极结构(8)与所述底部部分相对的一侧，所述沟槽栅极结构(8)的底部部分位于所述漂移层(3)中并在所述宽度方向上扩展，使得相邻沟槽栅极结构(8)的所述底部部分之间的距离(L1)小于所述宽度方向上相邻沟槽栅极结构(8)的所述开口部分之间的距离(L2)，并且所述底部部分的沟槽(5)的壁表面上的栅极绝缘层(6)的厚度大于所述开口部分的沟槽(5)的壁表面上的栅极绝缘层(6)的厚度。
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