[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110266369.3 | 申请日： | 2011-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN103000517A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件及其制造方法。该方法利用半导体层上形成的图案化的硬掩模层对半导体层进行蚀刻，从而在该半导体层中形成具有不同厚度的部分。然后，对该半导体层进行基于氧的处理以形成使该半导体层的一部分被埋置到通过氧化而形成的支撑氧化物层中。由此，防止或至少减少鳍片结构的倾塌和被去除，从而提高半导体器件的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：提供衬底，所述衬底包括绝缘体层以及其上的具有第一厚度的半导体层；在所述半导体层上形成硬掩模层；图案化所述硬掩模层以露出半导体层的部分表面；以所述图案化的硬掩模层为掩模蚀刻所述半导体层，以在所述半导体层中形成具有第一厚度的第一部分和具有第二厚度的第二部分，所述第一部分与所述第二部分相邻，所述第二厚度小于所述第一厚度；对所述半导体层进行基于氧的处理以使所述半导体层的所述第二部分被氧化从而形成支撑氧化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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