[发明专利]发光二极管结构及其制造方法

摘要

本发明涉及发光二极管领域。发光二极管结构是：衬底下表面具有第一电极，外延结构形成于衬底的上表面，外延结构分别为反射层、N型限制层、有源层、P型限制层、电流扩展层，第二电极形成于电流扩展层之上。其中，所述的反射层是由3组以上布拉格反射系统组成，每组布拉格反射系统中由3对以上的低折射率材料层、高折射率材料层交替的布拉格反射层组成，每组布拉格反射系统中布拉格反射层中的高折射率材料层的折射率自衬底以上每组依次是阶梯式递减。制造如上述发光二极管结构的方法，包括步骤：A，构建一衬底；B，在衬底上表面形成反射层；C，在反射层上分别外延出N型限制层、有源层、P型限制层、电流扩展层；D，在衬底底面和外延层的上表面分别形成第一电极和第二电极；E，进行切割。

主权项

发光二极管结构，衬底下表面具有第一电极，外延结构形成于衬底的上表面，外延结构是由多层三五族半导体化合物构成的，分别为反射层、N型限制层、有源层、P型限制层、电流扩展层，第二电极形成于电流扩展层之上，其特征在于：所述的反射层是由3组以上布拉格反射系统组成，每组布拉格反射系统中由3对以上的低折射率材料层、高折射率材料层交替的布拉格反射层组成，同一组布拉格反射系统中每对布拉格反射层中的高折射率材料层均是相同的，所有的布拉格反射系统的布拉格反射层中的低折射率材料层都是相同的，且每对布拉格反射层中的低折射率材料层、高折射率材料层还须满足：低折射率材料层的膜厚度D1=（2k+1）λ/（4n1），其中k为≥0的正整数；高折射率的材料层的膜厚度D2=（2k+1）λ/（4n2），其中k为≥0的正整数；λ：需要反射光的波长（单位nm）；n1、n2：材料层相对应需要反射的光的折射率，且n1

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