[发明专利]太阳能电池铜铟镓硒膜层的制备方法无效
| 申请号： | 201110257686.9 | 申请日： | 2011-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN102347401A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 陈良范;孙嵩泉;罗毅;宁海洋;章新良 | 申请（专利权）人： | 普乐新能源（蚌埠）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司 34102 | 代理人： | 张建宏 |
| 地址： | 233030 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 太阳能电池铜铟镓硒膜层的制备方法，包括以下步骤：a、在衬底板上使用磁控溅射法预制元素铜，或元素铜和镓；b、在真空蒸发室通过蒸发法依次在衬底板上蒸镀元素铟、镓、硒，或元素铟、硒。本发明提供的方法采用磁控溅射法与蒸发法相结合，将蒸发温度较高的金属元素采用磁控溅射法向衬底板上预制，将蒸发温度较低的金属元素采用蒸发法向衬底板上预制，既降低了温度控制的难度，又可避免在蒸发法中使用剧毒气体硒化氢，从而使得制备过程控制容易，且可避免操作人员受有毒气体的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 铜铟镓硒膜层 制备 方法 | ||
【主权项】：
太阳能电池铜铟镓硒膜层的制备方法，其特征在于包括以下步骤：a、在衬底板上使用磁控溅射法预制元素铜，或元素铜和镓；b、在真空蒸发室通过蒸发法依次在衬底板上蒸镀元素铟、镓、硒，或元素铟、硒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
