[发明专利]像素隔离结构以及像素隔离结构制造方法无效
申请号: | 201110257454.3 | 申请日: | 2011-09-01 |
公开(公告)号: | CN102280464A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 饶金华;巨晓华;张克云 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/762 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种像素隔离结构以及像素隔离结构制造方法。根据本发明的像素隔离结构包括:衬底、像素结构和隔离结构,其中所述像素结构布置在所述衬底上,并且所述像素结构周围布置了所述隔离结构;并且,所述隔离结构中布置了一层氧化物层。利用所述像素隔离结构,当入射光经过像素结构中的一段距离之后到达隔离结构时,入射光线会进入隔离结构,并且到达隔离结构与氧化物层的分界面;此时,由于作为光密介质的隔离结构的折射率与作为光疏介质的氧化物层的折射率的不同,而使得到达隔离结构与氧化物层之间的边界的光线,部分被反射回像素结构内。如果入射角θ满足特定条件,到达隔离结构与氧化物层之间的边界的光线,完全被反射回像素结构内。由此,减少了光学串扰的出现,从而减少了光学串扰影响到像素结构的正常功能。 | ||
搜索关键词: | 像素 隔离 结构 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种像素隔离结构,其特征在于包括:衬底、像素结构和隔离结构,其中所述像素结构布置在所述衬底上,并且所述像素结构周围布置了所述隔离结构;并且,所述隔离结构中布置了一层氧化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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