[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201110257326.9 | 申请日： | 2011-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102541136A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 高桥康之 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件。本发明所提供的启动电路允许基准电压生成电路在极短时间周期内启动并达到稳定平衡状态。该启动电路配置成即使不向该启动电路供电时也保持与处于稳定平衡状态中的基准电压生成电路的内部电压基本相同的电压。当基准电压生成电路被启动时，从启动电路向基准电压生成电路输出电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：启动电路，包括：第一晶体管，其包括栅极、第一端子以及第二端子；控制电路，其电连接至所述第一晶体管的所述栅极；以及电容器，其电连接至所述第一晶体管的所述第一端子；以及基准电压生成电路，其电连接至所述第一晶体管的所述第二端子，其中，所述第一晶体管包括其中形成有沟道的氧化物半导体层。
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