[发明专利]存储元件和存储装置在审
| 申请号： | 201110255439.5 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102403024A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 肥后丰;细见政功;大森广之;别所和宏;山根一阳;内田裕行 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了存储元件和存储装置，其中，该存储元件包括层结构。该层结构包括：存储层，具有垂直于膜面的磁化；磁化固定层，具有垂直于膜面的磁化；绝缘层，设置在存储层与磁化固定层之间；以及盖层，设置在存储层的与绝缘层侧的面相反的一面侧，其中，在层结构的层压方向上注入自旋极化的电子，从而存储层的磁化方向变化，并且执行信息记录，存储层接收到的有效反磁场的大小小于存储层的饱和磁化量，并且盖层的至少与存储层接触的面由Ta膜构成。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 装置 | ||
【主权项】：
一种存储元件，包括：层结构，包括存储层，具有垂直于膜面的磁化，并且其磁化方向相应于信息变化，磁化固定层，具有垂直于所述膜面并且成为在所述存储层中所存储的所述信息的基准的磁化，绝缘层，设置在所述存储层与所述磁化固定层之间，并且由非磁性材料构成，以及盖层，设置在所述存储层的与所述绝缘层侧的面相反的一面侧，其中，在所述层结构的层压方向上注入自旋极化的电子，从而所述存储层的所述磁化方向变化，并且对所述存储层执行信息记录，所述存储层所接收到的有效反磁场的大小小于所述存储层的饱和磁化量，并且所述盖层的至少与所述存储层接触的面由Ta膜构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司，未经索尼公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110255439.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
