[发明专利]半导体元件结构

摘要

一种半导体元件结构，其包含有基底，其上包含有晶体管；多层接触蚀刻停止层结构，覆盖住晶体管，多层接触蚀刻停止层结构包含有第一蚀刻停止层以及第二蚀刻停止层；以及介电层，设于第二蚀刻停止层上；其中，第一蚀刻停止层与第二蚀刻停止层由不同材料所构成，而第二蚀刻停止层与介电层由不同材料所构成。本发明提供的半导体元件结构中的蚀刻停止层可做为等离子放电层，以转导等离子处理程序中产生的等离子诱发电荷，避免其下的元件遭受到电压差的损害，因此可提升元件的可靠度，且可降低临界电压偏移的数值。

主权项

一种半导体元件结构，包含有：基底，其上包含有晶体管；多层接触蚀刻停止层结构，覆盖住上述晶体管，上述多层接触蚀刻停止层结构包含有第一蚀刻停止层以及第二蚀刻停止层；以及介电层，设于上述第二蚀刻停止层上；其中，上述第一蚀刻停止层与上述第二蚀刻停止层由不同材料所构成，而上述第二蚀刻停止层与上述介电层由不同材料所构成。