[发明专利]具有二极管整流能力的电阻式存储器无效
| 申请号： | 201110252336.3 | 申请日： | 2011-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN102867912A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 张鼎张;徐詠恩;简富彦;蔡铭进 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具二极管整流能力的电阻式存储器结构，其包括一第一电极、一第二电极与一电阻转换层。电阻转换层设置于第一电极与第二电极之间，且电阻转换层包括邻接于第一电极的一第一氧化绝缘层，邻接于第二电极的一第二氧化绝缘层，与设置于第一氧化绝缘层与第二氧化绝缘层之间的一能障调控层。能障调控层与第一氧化绝缘层之间，可由电压调控能障大小，进而改变电阻值，第二氧化绝缘层与能障调控层间，形成固定能障，使电阻式存储器元件兼具二极管整流功能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 二极管 整流 能力 电阻 存储器 | ||
【主权项】：
一种具有二极管整流能力的电阻式存储器结构，包括：第一电极；第二电极；以及电阻转换层，设置于该第一电极与该第二电极之间，该电阻转换层包括：第一氧化绝缘层，邻接于该第一电极；第二氧化绝缘层，邻接于该第二电极；及能障调控层，设置于该第一氧化绝缘层与该第二氧化绝缘层之间，并与该第一氧化绝缘层之间形成一能障，与该第二氧化绝缘层之间形成一固定能障，其中，一工作偏压自该第一电极跨接至该第二电极时，该电阻转换层呈现一经由该能障调控层与该第一氧化绝缘层相互反应以调节该能障的可变电阻特性，与由该固定能障调节电流的一二极管特性。
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