[发明专利]制备SiC涂层的方法无效
| 申请号： | 201110250763.8 | 申请日： | 2011-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102951931A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 孟涛;姚玖洪 | 申请（专利权）人： | 镇江仁德新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/87 | 分类号： | C04B41/87 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 朱梅;陈国军 |
| 地址： | 212200 江苏省镇*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备SiC涂层的方法，该方法包括以下步骤：1)在石墨基材的表面上涂覆高纯硅粉或高纯氮化硅粉末从而形成涂层，其中涂层厚度在200-1000微米范围内；2)把具有上述涂层的石墨基材在一氧化硅气体或含有惰性气体的一氧化硅气体氛围下加热到1300-1500℃，并保持1-10小时，在石墨基材的表面上涂覆的高纯硅粉或高纯氮化硅粉变成β相SiC；3)冷却至100-500℃后，将所述石墨基材从所述气体氛围下取出，继续冷却至室温，用纯水洗掉所述涂层表面的粉末状SiC，从而得到相对致密的且与石墨基材结合紧密的SiC涂层。本发明提供的制备方法操作简单、成本低廉，且对石墨基材的表面无苛刻要求，是一种廉价的涂层制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 sic 涂层 方法 | ||
【主权项】：
一种制备SiC涂层的方法，该方法包括以下步骤：1)在石墨基材的表面上涂覆高纯硅粉或高纯氮化硅粉从而形成涂层，其中所述涂层厚度在200‑1000微米范围内；2)把具有上述涂层的石墨基材在一氧化硅气体或含有惰性气体的一氧化硅气体氛围下加热到1300‑1500℃，并保持1‑10小时，在石墨基材的表面上涂覆的高纯硅粉或高纯氮化硅粉变成β相SiC；3)冷却至100‑500℃后，将所述石墨基材从所述气体氛围下取出，继续冷却至室温，用纯水洗掉所述涂层表面的粉末状SiC，从而得到相对致密的且与石墨基材结合紧密的SiC涂层。
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