[发明专利]一种局部化SOI和GOI器件结构及其工艺集成方法

摘要

本发明提供一种SOI和GOI器件局部化制备工艺集成方法，包括以下步骤：在SOI晶片上依次淀积硬掩膜层和光刻胶层并图像化形成开口，刻蚀开口中暴露的硬掩膜层，形成GOI区域窗口；刻蚀硬掩膜层窗口中暴露出的SOI晶片的顶层硅，至不露出SOI晶片的埋氧层为止，使得窗口内有薄层硅片覆盖在窗口下方的埋氧层；在窗口内薄层硅片上进行SiGe选择性外延生长，使得外延窗口内生长满Si1-xGex层，其中Si1-xGex中x大于0小于1的数值；去除覆盖在SOI晶片上的硬掩膜层；进行晶片表面全局化干氧氧化处理；当Si1-xGex层中锗含量达到定值后，停止干氧氧化并去除二氧化硅；在形成的锗层和SOI晶片的顶部硅层的表面沉积一薄层硅外延层；对形成的具有GOI的SOI晶片进行浅槽隔离、SOI器件和GOI器件制备。

主权项

一种SOI和GOI器件局部化制备工艺集成方法，其特征在于，包括以下顺序步骤：步骤1：在SOI晶片上依次淀积硬掩膜层和光刻胶层，对光刻胶层进行图像化处理并形成开口，对开口中暴露的硬掩膜层进行刻蚀，形成GOI区域窗口；步骤2：对硬掩膜层窗口中暴露出的SOI晶片的顶层硅进行刻蚀，刻蚀至不露出SOI晶片的埋氧层为止，使得窗口内有一薄层硅片覆盖在窗口下方的埋氧层；步骤3：在窗口内的薄层硅片上进行SiGe选择性外延生长，使得外延窗口内生长满Si1‑xGex层，其中所述Si1‑xGex中x大于0小于1的数值；步骤4：刻蚀去除覆盖在SOI晶片上的硬掩膜层；步骤5：进行晶片表面全局化干氧氧化处理；当Si1‑xGex层中锗含量达到定值后，停止干氧氧化并去除SOI晶片表面的二氧化硅；步骤6：在形成的锗层和SOI晶片的顶部硅层的表面沉积一薄层硅外延层；步骤7：对上述形成的具有GOI的SOI晶片进行浅槽隔离、SOI器件和GOI器件制备。