[发明专利]用于聚合物半导体高纯化的区域熔炼装置与方法无效
| 申请号： | 201110245403.9 | 申请日： | 2011-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102425933A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 唐超;黄维;徐德锋;戎舟;刘瑞兰;徐慧 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | F27B1/09 | 分类号： | F27B1/09;C08G61/02 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 叶连生 |
| 地址： | 210046 江苏省南京市亚东*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种用于聚合物半导体高纯化的区域熔炼装置与方法，整个控制系统由单片机控制，该装置包括带金属棒的熔炼炉和加热部分；熔炼炉（8）的顶部设有原料进出口塞（1），在原料进出口塞（1）的中间设有抽真空管道（7）；在熔炼炉（8）的上部的侧面设有保护气出入口（2），在熔炼炉（8）的中间沿轴向设有加热用金属棒（5），在熔炼炉（8）的旁边与熔炼炉（8）平行设有电磁线圈移动轨道（6），电磁线圈加热环（3）设置在电磁线圈移动轨道上，电磁线圈加热环（3）的线圈环绕在熔炼炉的外侧；熔炼炉和电磁线圈移动轨道都固定在基座（4）上。本发明的纯化系统可实现公斤级聚合物半导体的高纯化，同时控制系统简便，制造成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 聚合物 半导体 纯化 区域 熔炼 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种用于聚合物半导体高纯化的区域熔炼装置，其特征在于该装置包括带金属棒的熔炼炉和加热部分；熔炼炉(8)的顶部设有原料进出口塞(1)，在原料进出口塞(1)的中间设有抽真空管道(7)；在熔炼炉(8)的上部的侧面设有保护气出入口(2)，在熔炼炉(8)的中间沿轴向设有加热用金属棒(5)，在熔炼炉(8)的旁边与熔炼炉(8)平行设有电磁线圈移动轨道(6)，电磁线圈加热环(3)设置在电磁线圈移动轨道(6)上，电磁线圈加热环(3)的线圈环绕在熔炼炉(8)的外侧；熔炼炉(8)和电磁线圈移动轨道(6)都固定在基座(4)上。
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