[发明专利]一种单晶硅原料的清洗方法无效
| 申请号： | 201110239344.4 | 申请日： | 2011-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102294331A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 程前荣;黄贤横;黄修云 | 申请（专利权）人： | 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/12 | 分类号： | B08B3/12;B08B3/08 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 332000 江西省九江*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种单晶硅原料的清洗方法，包括两台超声清洗机，酸洗液为硝酸与氢氟酸比为（8-10）：1，其中一台超声清洗机A酸洗槽温度为40-50℃，另一台超声清洗机B酸洗槽温度为25-30℃，所述的清洗方法包括，多晶硅料在一台超声清洗机A酸洗槽中洗涤2-5分钟后取出晾干水且料温降至25-30℃，移至另一台超声清洗机B酸洗槽中洗涤1-2分钟，酸洗之后，移入其清水槽内完成清洗。从而解决了单晶硅原料在清洗过程中出现酸斑的问题。具有清洗效果好、易操作的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 原料 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶硅原料的清洗方法，其特征在于，包括两台超声清洗机，酸洗液为硝酸与氢氟酸比为（8‑10）：1，其中一台超声清洗机A酸洗槽温度为40‑50℃，另一台超声清洗机B酸洗槽温度为25‑30℃，所述的清洗方法包括，多晶硅料在一台超声清洗机A酸洗槽中洗涤2‑5分钟后取出晾干水且料温降至25‑30℃，移至另一台超声清洗机B酸洗槽中洗涤1‑2分钟，酸洗之后，移入其清水槽内完成清洗。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西旭阳雷迪高科技股份有限公司，未经江西旭阳雷迪高科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110239344.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种带自动关闭功能的排风装置
- 下一篇：多功能仿真取暖器
