[发明专利]光伏晶体硅加工废砂浆综合处理技术无效

专利信息
申请号: 201110238197.9 申请日: 2011-08-12
公开(公告)号: CN102432296A 公开(公告)日: 2012-05-02
发明(设计)人: 赵凤忠;尹晏生;高明利;尹克胜 申请(专利权)人: 尹克胜
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B35/63;C01B21/068
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 276700 *** 国省代码: 山东;37
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摘要: 光伏晶体硅加工废砂浆综合处理技术:按照申请号201110101064.7《光伏电池晶体硅加工废砂浆综合处理新方法》处理晶体硅加工废砂浆,完成分离、回收废砂浆中的PEG和铁后,把由SiC、Si微粉组成的二元砂进行气流分离处理,得到SiC≥90%、Si≤10%、粒度5-30um的SiC微粉;Si≥95%、SiC≤5%、粒度≤10um的Si微粉;把SiC微粉加入适量的粘合剂压制成型,经干燥后用N2≥95%的氮气,1100-1650℃在氮化烧结炉氮化烧结,得到以氮化硅为结合剂的碳化硅陶瓷制品;把Si微粉利用压缩N2喷入气流床反应器,形成旋流,以利于3Si+2N2=Si3N4-733kJ反应的进行和反应产物的收集回收,控制反应温度在1000-1600℃左右,实现氮化硅粉体的无球磨连续生产。
搜索关键词: 晶体 加工 砂浆 综合 处理 技术
【主权项】:
光伏晶体硅加工废砂浆综合处理技术,其特征在于:按照申请号201110101064.7《光伏电池晶体硅加工废砂浆综合处理新方法》处理晶体硅加工废砂浆,完成分离、回收废砂浆中的PEG和铁后,把由SiC、Si微粉组成的二元砂进行气流分离处理,得到SiC≥90%、Si≤10%、粒度5‑30um的SiC微粉;Si≥95%、SiC≤5%、粒度≤10um的Si微粉。分别用于制造以氮化硅为结合剂的碳化硅陶瓷材料和氮化硅微粉。
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