[发明专利]灰化后侧壁修复无效
| 申请号： | 201110235855.9 | 申请日： | 2011-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN102931130A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 崔振江;王安川;梅休尔·内克;妮琴·英吉;李勇;尚卡·文卡塔拉曼 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了降低存在于集成电路的两个导电组件之间的有效介电常数的方法。所述方法涉及使用气相蚀刻，所述气相蚀刻对于低K电介质层的富氧部分是选择性的。当所述蚀刻工艺穿过相对高K富氧部分到达低K部分时，蚀刻速率减弱。因为所述气相蚀刻工艺不容易移除所需的低K部分，所以很容易时间控制所述蚀刻工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 灰化 侧壁 修复 | ||
【主权项】：
一种降低低K电介质材料的有效介电常数的方法，所述低K电介质材料在图案化基底上的两个沟槽之间，所述图案化基底在基底处理区域中，其中所述低K电介质材料构成所述两个沟槽的壁，所述方法包括：将所述图案化基底转移到所述基底处理区域中；和对所述图案化基底进行气相蚀刻，以通过从所述低K电介质材料移除外部电介质层，降低所述低K电介质材料的平均介电常数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
