[发明专利]基于激光熔覆的稀释率均匀性控制方法及其装置有效
| 申请号： | 201110235085.8 | 申请日： | 2011-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN102323756A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 李铸国;黄坚;张轲;朱彦彦;李瑞峰 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G05B13/04 | 分类号： | G05B13/04;C23C24/10 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王毓理 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种材料表面处理技术领域的基于激光熔覆的稀释率均匀性控制方法及其装置，通过红外增强CCD摄像机拍摄熔覆过程中的熔池图像并转换为温度场图像后得到实际熔池尺寸数据，根据设定熔池尺寸与实际熔池尺寸的差值作为偏差信号，采用PID算法对激光功率进行反馈控制，通过对设定熔池大小的调整实现稀释率调控。本发明使得用母材熔化的面积在激光熔覆涂层中所占的百分比在基板表面每一点相当，且激光熔覆时稀释率的调控变得简单、容易、可靠，而且避免了工件冷热状态差异等因素对稀释率的影响，使得基板表面熔覆涂层的各点的稀释率保持均匀一致。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 激光 稀释 均匀 控制 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
一种基于激光熔覆的稀释率均匀性控制方法，其特征在于，通过红外增强CCD摄像机拍摄熔覆过程中的熔池图像并转换为温度场图像后得到实际熔池尺寸数据，根据设定熔池尺寸与实际熔池尺寸的差值作为偏差信号，采用PID算法对激光功率进行反馈控制，通过对设定熔池大小的调整实现稀释率调控。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学，未经上海交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110235085.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：浮区法生长大尺寸Ta2O5单晶的方法
- 下一篇：铝件的瓷质氧化方法
