[发明专利]一种800公斤级单多晶硅的铸锭方法

摘要

本发明提供了一种800公斤级单多晶硅的铸锭方法，包括以下步骤：步骤一、选取1-50mm厚的长宽为156x156mm的方形单晶硅片紧密并均匀的铺设在底部外尺寸为1050x1050mm的坩埚底部；步骤二、在方形单晶硅片上添加原生多晶硅硅料及根据目标电阻率相配合的合金，共计装料至少800kg；步骤三、抽真空、检漏步骤；步骤四、加热步骤；步骤五、熔化步骤；步骤六、长晶步骤：保温30分钟之后，将隔热笼开启至8cm，并控制温度在一个小时内降低至1436℃，再将隔热笼开启至10cm，温度保持在1436℃；步骤七、退火步骤。通过本发明的方法制造出来的单多晶硅锭是单晶硅占大多数而多晶硅占少数的硅锭，并且可以一次铸造出800公斤以上的单多晶硅锭，极大地提高了生产效率。

主权项

一种800公斤级单多晶硅的铸锭方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、将方形单晶硅片铺设在坩埚底部；步骤二、在方形单晶硅片上添加原生多晶硅硅料及根据目标电阻率相配合的合金；步骤三、抽真空、检漏步骤：将装有上述硅料和合金的坩锅装入铸锭炉内，开始抽空检漏；步骤四、加热步骤：检漏合格后，开始加热，加热过程采取真空模式功率控制，直至坩锅升温至1170℃～1180℃步骤五、熔化步骤：转入熔化阶段，采取气体模式温度控制，直至升温至1500℃以上，当传感器探测到方形单晶硅片熔化到预定深度时，以1450℃～1490℃之间保温一段时间；步骤六、长晶步骤：保温之后，将隔热笼开启3～10cm，并控制温度再逐步降低，并最终将温度保持在1430‑1445℃；步骤七、退火步骤：将隔热笼闭合，并控制温度降低至1400℃以下，并最终将硅锭冷却至400℃以下，出炉。