[发明专利]一种用于多晶硅制绒后清洗的清洗液及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201110230942.5 申请日: 2011-08-12
公开(公告)号: CN102330101A 公开(公告)日: 2012-01-25
发明(设计)人: 顾峰 申请(专利权)人: 无锡尚品太阳能电力科技有限公司
主分类号: C23G1/14 分类号: C23G1/14;C30B33/10
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所 32104 代理人: 殷红梅
地址: 214181 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种用于多晶硅制绒后清洗的清洗液的制备方法,特征是,包括以下步骤,其组份比例按重量份数计:取99.6~99.8份去离子注入到清洗槽中,加入0.1~0.2份氢氧化钠充分搅拌均匀,再加入0.1~0.2份制绒添加剂,充分搅拌均匀后,即得到所述的清洗液成品。本发明与已有技术相比具有以下优点:1、本发明在传统的工艺基础上引入一种添加剂,提高了腐蚀因子,降低了反应速度,方便控制;2、多晶硅片制绒碱清洗后表面一致性,反射率低;3、硅片抛光现象彻底解决;4、电池片的转化效率和质量都比传统工艺有很大的提高。
搜索关键词: 一种 用于 多晶 硅制绒后 清洗 及其 制备 方法
【主权项】:
一种用于多晶硅制绒后清洗的清洗液,其特征是,包括以下组份,其组份比例按重量份数计:氢氧化钠0.1~0.2份、制绒添加剂0.1~0.2份、去离子水99.6~99.8份;将去离子水注入清洗槽中,加入氢氧化钠和制绒添加剂即得到所述的清洗液。
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