[发明专利]背金溅射方法有效
| 申请号： | 201110229846.9 | 申请日： | 2011-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN102931059A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 周军 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种背金溅射方法，包括：获取晶片的厚度与分步作业次数间的第一对应关系；获取晶片的厚度与溅射设备工作功率间的第二对应关系；根据所述第一对应关系，按照与产品晶片的厚度相对应的作业次数，将整个溅射过程划分为几个溅射步骤；根据所述第二对应关系以及对溅射步骤的划分，选取与产品晶片的厚度相对应的工作功率，对所述产品晶片进行背金的溅射，在选择的工作功率下，溅射过程出现金属聚集状缺陷的个数在工艺允许范围内；在完成一个溅射步骤后，停止溅射过程，采用冷却水对溅射设备进行降温，直至完成整个溅射过程。本发明实施例减少了在较薄的器件背面，采用溅射方式淀积背金时的金属原子聚集状缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 方法 | ||
【主权项】：
一种背金溅射方法，其特征在于，包括：获取晶片的厚度与分步作业次数间的第一对应关系；获取晶片的厚度与溅射设备工作功率间的第二对应关系；根据所述第一对应关系，按照与产品晶片的厚度相对应的作业次数，将整个溅射过程划分为几个溅射步骤；根据所述第二对应关系以及对溅射步骤的划分，选取与产品晶片的厚度相对应的工作功率，对所述产品晶片进行背金的溅射，在选择的工作功率下，溅射过程出现金属聚集状缺陷的个数在工艺允许范围内；在完成一个溅射步骤后，停止溅射过程，采用冷却水对溅射设备进行降温，直至完成整个溅射过程；其中，所述产品晶片的厚度越薄，与其厚度相对应的不会出现金属聚集状缺陷的工作功率越小。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华科技有限公司，未经无锡华润上华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110229846.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
