[发明专利]垂直磁记录介质有效
申请号: | 201110229211.9 | 申请日: | 2011-08-01 |
公开(公告)号: | CN102347032A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | 渡边贞幸 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | G11B5/66 | 分类号: | G11B5/66;G11B5/64 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张鑫 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明用于实现可在维持良好OW特性、SNR、和热稳定性的同时实现高磁道密度的垂直磁记录介质。在非磁性基底上包括磁记录层的垂直磁记录介质中,磁记录层依次包括第一磁性层、交换耦合控制层、第二磁性层、第三磁性层、和第四磁性层。优选为,当所述第一磁性层、第二磁性层、第三磁性层、和第四磁性层的垂直磁各向异性常数分别为Ku1、Ku2、Ku3、和Ku4时,满足Ku4>Ku3>Ku2且Ku1>Ku3>Ku2的关系。 | ||
搜索关键词: | 垂直 记录 介质 | ||
【主权项】:
一种垂直磁存储介质,包括:在非磁性基底上的磁记录层,其中所述磁记录层依次包括第一磁性层、第一交换耦合控制层、第二磁性层、第三磁性层、和第四磁性层。
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