[发明专利]垂直磁记录介质有效

专利信息
申请号: 201110229211.9 申请日: 2011-08-01
公开(公告)号: CN102347032A 公开(公告)日: 2012-02-08
发明(设计)人: 渡边贞幸 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: G11B5/66 分类号: G11B5/66;G11B5/64
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 张鑫
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明用于实现可在维持良好OW特性、SNR、和热稳定性的同时实现高磁道密度的垂直磁记录介质。在非磁性基底上包括磁记录层的垂直磁记录介质中,磁记录层依次包括第一磁性层、交换耦合控制层、第二磁性层、第三磁性层、和第四磁性层。优选为,当所述第一磁性层、第二磁性层、第三磁性层、和第四磁性层的垂直磁各向异性常数分别为Ku1、Ku2、Ku3、和Ku4时,满足Ku4>Ku3>Ku2且Ku1>Ku3>Ku2的关系。
搜索关键词: 垂直 记录 介质
【主权项】:
一种垂直磁存储介质,包括:在非磁性基底上的磁记录层,其中所述磁记录层依次包括第一磁性层、第一交换耦合控制层、第二磁性层、第三磁性层、和第四磁性层。
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