[发明专利]多坩埚物理气相传输技术生长碳化硅单晶的方法和装置有效
| 申请号： | 201110228769.5 | 申请日： | 2011-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102925967A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 李汶军;李根法 | 申请（专利权）人： | 李汶军;李根法 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200072 上海市闸*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种多坩埚物理气相传输技术生长碳化硅单晶的方法和装置，其特征为：在碳化硅单晶生长过程中，采用多坩埚生长技术，上、下排列的两个石墨坩埚同时置于炉膛内的石墨发热体中，上坩埚悬挂在提拉杆上，下坩埚倒置于下降杆上，两籽晶位于石墨发热体两端，位于低温区，原料位于石墨发热体中部，位于高温区，上、下坩埚的温度由主控温和次控温装置决定。采用该方法生长的碳化硅晶体，生产效率高，生产成本低，适用于规模化单晶生长。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚 物理 相传 技术 生长 碳化硅 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种物理气相传输技术生长碳化硅单晶的方法和装置，其装置结构包括真空炉、感应线圈、保温材料、石墨发热体和石墨坩埚，其中石墨发热体被包裹在保温材料中，感应线圈位于保温材料外部，石墨坩埚位于石墨发热体和保温材料构成的炉膛内，石墨坩埚底部为碳化硅原料，坩埚上部为碳化硅籽晶，其特征在于：在碳化硅单晶生长过程中，采用多坩埚生长技术，上、下排列的两个石墨坩埚同时置于炉膛内的石墨发热体中，上坩埚悬挂在提拉杆上，下坩埚倒置于下降杆上，上、下坩埚的温度由主控温和次控温装置决定。
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