[发明专利]NMOS晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201110226348.9 | 申请日： | 2011-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN102931233A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 赵猛;三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种NMOS晶体管及其形成方法，所述NMOS晶体管包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内的源/漏区，所述源/漏区包括：位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内的第一碳化硅应力层和位于所述第一碳化硅应力层底部且与所述第一碳化硅应力层接触的第二碳化硅应力层，所述第一碳化硅应力层向栅极结构的一侧突出。由于所述第一碳化硅应力层向栅极结构的一侧突出，且所述第二碳化硅应力层深度较大，使得所述NMOS晶体管的源/漏区产生的拉伸应力更大，所述NMOS晶体管的沟道区的晶格间距更大，电子的迁移率变得更大。 | ||
| 搜索关键词： | nmos 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种NMOS晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内的源/漏区，所述源/漏区包括：位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内的第一碳化硅应力层和位于所述第一碳化硅应力层底部且与所述第一碳化硅应力层接触的第二碳化硅应力层，所述第一碳化硅应力层向栅极结构的一侧突出。
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