[发明专利]一种定向生长的网格状高性能碳纳米管场发射阵列有效
| 申请号： | 201110224201.6 | 申请日： | 2011-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN102324350A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 张研;李驰 | 申请（专利权）人： | 张研;李驰 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210096 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种定向生长的网格状高性能碳纳米管场发射阵列，包括导电基底、生长在基底上的网格状定向碳纳米管阵列；碳纳米管阵列成网格状分布，是一个整体结构。本方案提高小尺寸碳纳米管阵列的结构稳定性，以及增强碳纳米管阵列的边缘效应，并以此降低开启电场和阈值电场，提高发射电流密度。适用于对电流发射性能要求较高的场发射器件，例如，X射线源、微波放大器、场发射扫描电子显微镜等中的电子源。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 定向 生长 网格 性能 纳米 发射 阵列 | ||
【主权项】：
一种定向生长的网格状高性能碳纳米管场发射阵列，包括导电基底、生长在基底上的网格状定向碳纳米管阵列；其特征为：碳纳米管阵列成网格状分布，是一个整体结构。
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