[发明专利]一种避免光阻中毒的碳化硅薄膜制备新方法无效
| 申请号： | 201110222123.6 | 申请日： | 2011-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN102437093A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 张文广;徐强;郑春生;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/314 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种避免光阻中毒的碳化硅薄膜制备新方法，在衬底上淀积一层低K值介电层，在低K值介电层上刻蚀形成多个沟槽，在沟槽中填充金属铜，再进行化学机械平坦化，然后形成第一碳化硅薄膜覆盖所述金属铜和所述低K值介电层，所述第一碳化硅薄膜为多层第二碳化硅薄膜依次相互堆叠形成；每一层第二碳化硅薄膜的制备过程中，先用含氮反应气体淀积形成第二碳化硅薄膜，再用等离子体去除所述第二碳化硅薄膜中的氮元素；然后在去除了氮元素的第二碳化硅薄膜上继续淀积形成新的第二碳化硅薄膜，再用等离子体去除所述新的第二碳化硅薄膜中的氮元素；重复上述第二碳化硅薄膜的形成步骤和去除氮元素的步骤，直至形成多层第二碳化硅薄膜堆叠的厚度达到第一厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 避免 中毒 碳化硅 薄膜 制备 新方法 | ||
【主权项】：
一种避免光阻中毒的碳化硅薄膜制备新方法，提供一衬底，在所述衬底上淀积一层低K值介电层，在所述低K值介电层上刻蚀形成多个沟槽，在所述沟槽中填充金属铜，再进行化学机械平坦化，然后形成第一碳化硅薄膜覆盖所述金属铜和所述低K值介电层，其特征在于，所述第一碳化硅薄膜为多层第二碳化硅薄膜依次相互堆叠形成；每一层第二碳化硅薄膜的制备过程中，先用含氮反应气体淀积形成第二碳化硅薄膜，再去除所述第二碳化硅薄膜中的氮元素；然后在去除了氮元素的第二碳化硅薄膜上继续用含氮反应气体淀积形成新的一层第二碳化硅薄膜，再去除所述新的第二碳化硅薄膜中的氮元素；重复上述第二碳化硅薄膜的形成步骤和去除氮元素的步骤，直至形成多层第二碳化硅薄膜堆叠的厚度达到第一碳化硅薄膜的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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