[发明专利]一种静电抑制器及该静电抑制器的制备方法有效
| 申请号： | 201110222104.3 | 申请日： | 2011-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN102426890A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 吴浩;梁传勇 | 申请（专利权）人： | 吴浩 |
| 主分类号： | H01C7/105 | 分类号： | H01C7/105;H01C17/00 |
| 代理公司： | 广东国晖律师事务所 44266 | 代理人： | 陈琳 |
| 地址： | 518020 广东省广州市经济*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种超低容量静电抑制器，包括ZnO基体和电极，该电极设置于ZnO基体的两端，其中：所述的ZnO基体上还设置有Mg-Zn-Ti基体，该Mg-Zn-Ti基体按摩尔比4∶1∶5的MgO、ZnO、TiO2粉料配比而成；本发明还提供一种该抑制器芯片的制作方法，该方法包括：制浆→流延膜片→叠层→压坯→切割芯片→排胶→烧结；通过在ZnO基体上还设置有Mg-Zn-Ti基体，现实静电吸收功能的是ZnO压敏电阻基体，但因其电容量较大，很难应用于电路中的静电防护，故本发明加入Mg-Zn-Ti基体降低元件的电容量，实现超低容量以减少元件对电路信号的吸收影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 静电 抑制器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超低容量静电抑制器，包括ZnO基体和电极，该电极设置于ZnO基体的两端，其特征在于：所述的ZnO基体上还设置有Mg‑Zn‑Ti基体，该Mg‑Zn‑Ti基体按摩尔比4∶1∶5的MgO、ZnO、TiO2粉料配比而成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吴浩，未经吴浩许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110222104.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
