[发明专利]射频侧向扩散金属氧化物半导体器件及制备方法有效
| 申请号： | 201110220539.4 | 申请日： | 2011-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN102280482A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 王玉东;付军;吴正立;崔杰;赵悦;张伟;许平 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中伟智信专利商标代理事务所 11325 | 代理人： | 张岱 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种射频侧向扩散金属氧化物半导体器件及制备方法，为解决现有结构中源区和漏区接触电阻较大的缺陷而设计。本发明射频侧向扩散金属氧化物半导体器件在源区和高掺杂低阻区之间或在漏区上设有硅化物层。在沿栅电极至漏区的方向上包括2层或3层的法拉第屏蔽结构层与侧向扩散区上表面的距离增加。一种射频侧向扩散金属氧化物半导体器件制备方法，淀积法拉第屏蔽结构层的同时淀积了连接源区和高掺杂低阻区的金属层和/或漏区金属层，退火后形成金属硅化物。本发明射频侧向扩散金属氧化物半导体器件降低了源区和/或漏区电阻，降低了器件的栅源电容。本发明射频侧向扩散金属氧化物半导体器件制备方法提高了性能，简化了工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 侧向 扩散 金属 氧化物 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种射频侧向扩散金属氧化物半导体器件，包括：半导体衬底，设置在所述衬底上的外延层，设置在所述外延层上的漏区、侧向扩散区和沟道区，设置在所述沟道区内的源区；所述沟道区和所述源区通过高掺杂低阻区与所述衬底相连；所述沟道区上由下至上依次设有栅介质层和栅电极，所述栅电极和所述侧向扩散区上由下至上依次设有介质层和法拉第屏蔽结构层，其特征在于，所述源区和所述高掺杂低阻区上设有硅化物层。
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