[发明专利]检测高纯硅成分分析用的挥硅实验装置有效

专利信息
申请号: 201110219721.8 申请日: 2011-08-02
公开(公告)号: CN102323136A 公开(公告)日: 2012-01-18
发明(设计)人: 张尚川;王邦义;高京海 申请(专利权)人: 重庆密奥仪器有限公司
主分类号: G01N1/40 分类号: G01N1/40;G01N1/44
代理公司: 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 代理人: 李晓兵
地址: 400020 *** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 发明公开了检测高纯硅成分分析用的挥硅实验装置,包括封闭式或半封闭式的实验柜体,所述实验柜体中间是实验腔体,其特征在于:在实验腔体内设置有密闭的挥发实验柜,在挥发实验柜下部设置有实验柜加热装置,在可控条件下对设置在挥发实验腔内的实验容器进行加热;在挥发实验柜上设置有吸收管道与挥发实验柜的内腔连通,在吸收管道上设置有吸收处理装置;设置有实验气体源,实验气体源通过管道通入挥发实验柜的内腔。本发明的实验装置,提高在硅及其衍生物分析中样品处理的安全性和样品处理的平行性;把样品处理过程中硅里面其它成分的损失降到最低;能极大的缩短样品处理的时间;能提高实验的可靠性。
搜索关键词: 检测 高纯 成分 分析 实验 装置
【主权项】:
检测高纯硅成分分析用的挥硅实验装置,包括封闭式或半封闭式的实验柜体(1),所述实验柜体(1)中间形成中空的实验腔体(2),其特征在于:在实验腔体(2)内设置有密闭的挥发实验柜(3),在挥发实验柜(3)下部设置有实验柜加热装置(4),在可控条件下对设置在挥发实验腔(3)内的实验容器(5)进行加热;在挥发实验柜(3)上设置有吸收管道(6)与挥发实验柜(3)的内腔连通,在吸收管道(6)上设置有吸收处理装置(7);                          在实验柜体(1)的内部或外部,设置有实验气体源(8),实验气体源(8)通过管道(9)通入挥发实验柜(3)的内腔。
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