[发明专利]发光二极管晶粒及其制作方法有效
| 申请号： | 201110217796.2 | 申请日： | 2011-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN102916098A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 黄嘉宏;黄世晟;凃博闵;杨顺贵;林雅雯 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管晶粒，其包括：基板；形成在所述基板上的磊晶层，该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层；在该磊晶层与该基板之间的若干间隔设置的球形氮化铝，该第一半导体层完全覆盖该若干球形氮化铝。本发明通过在第一半导体层与基板之间形成若干间隔设置的球形氮化铝，可提高发光层发出的朝向基板的光线经全反射向上出射的几率，从而提高发光二极管晶粒的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 晶粒 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管晶粒，其包括：基板；形成在所述基板上的磊晶层，该磊晶层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层；在该磊晶层与该基板之间的若干间隔设置的球形氮化铝，该第一半导体层完全覆盖该若干球形氮化铝。
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