[发明专利]降低多晶硅金属杂质的方法无效
| 申请号： | 201110217714.4 | 申请日： | 2011-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN102336409A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 张驰;熊震;付少永;王梅花 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳能电池多晶硅的制备技术领域，特别是一种降低多晶硅金属杂质的方法，包括下列步骤：1)漂洗：将原生硅片先后浸入RCAI、RCAII溶液中漂洗；2)干燥；3)快速热处理：将干燥后硅片置于快速热处理炉中在氮气氛围下进行快速热处理；4)吸杂：将上述硅片置于扩散炉子进行单面扩磷，将扩磷后的硅片在真空镀膜机中对未扩磷面蒸镀铝，然后在氮气氛围下进行磷铝共吸杂处理；清洗：将上述硅片先后经HCl溶液、HF酸与HNO3混酸溶液中浸泡；干燥。本发明的有益效果是：将经过本发明方法处理过的硅片经PECVD钝化处理后，利用μ-PCD法进行少子寿命测试，结果发现少子寿命得到明显提高。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 多晶 金属 杂质 方法 | ||
【主权项】：
一种降低多晶硅金属杂质的方法，其特征是：包括下列步骤：1)漂洗：将原生硅片先后浸入RCAI、RCAII溶液中漂洗；2)干燥；3)快速热处理：将干燥后硅片置于快速热处理炉中在氮气氛围下进行快速热处理；4)吸杂：将上述硅片置于扩散炉子进行单面扩磷，将扩磷后的硅片在真空镀膜机中对未扩磷面蒸镀铝，然后在氮气氛围下进行磷铝共吸杂处理；5)清洗：将上述硅片先后经HCl溶液、HF酸与HNO3混酸溶液中浸泡；6)干燥。
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