[发明专利]选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法有效
| 申请号： | 201110216107.6 | 申请日： | 2011-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN102270703A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 刘伟;万青;陈筑;刘晓巍;徐晓群 | 申请（专利权）人： | 宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所 33228 | 代理人： | 李迎春 |
| 地址： | 315177 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法，包括以下步骤：将晶体硅片进行绒面制作，清洗并甩干；表面覆盖掩膜板（1）并进行固定，放入磁控溅射镀膜机的磁控溅射腔室中，以锑作为靶材进行溅射，溅射完成后移去掩膜板（1）；放入扩散炉管中进行液态磷源扩散；再经过刻蚀、去磷硅玻璃、镀氮化硅膜、印刷、烧结，得到选择性发射极晶体硅太阳电池。该制备方法成本低、重复性好、适合工业化批量生产，且该方法制备的选择性发射极晶体硅太阳电池转换效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 发射极 晶体 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：①将晶体硅片进行绒面制作，然后清洗并甩干；②在步骤①得到的晶体硅片表面覆盖掩膜板（1）并进行固定，然后放入磁控溅射镀膜机的磁控溅射腔室中，以锑作为靶材进行溅射，设置溅射压强为0.6～0.9Pa，氩气流量为10～30sccm，衬底温度200～300℃，溅射时间为20～40s，溅射完成后移去掩膜板；③将步骤②得到的晶体硅片放入扩散炉管中进行液态磷源扩散，设置扩散炉管内温度为820～840℃，小氮流量为1600～1800cm3/min，大氮流量为19200～19500 cm3/min，氧气流量为1800～1950 cm3/min；④将步骤③得到的晶体硅片经过刻蚀，去磷硅玻璃，镀氮化硅膜，印刷，烧结，得到选择性发射极晶体硅太阳电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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