[发明专利]肖特基二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201110215767.2 | 申请日： | 2011-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102903849A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 胡春华;刘长洪;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种肖特基二极管，其包括：一第一金属层，一半导体层及一第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层间隔设置并分别与所述半导体层电连接，所述第一金属层与所述半导体层的电连接为肖特基接触，所述第二金属层与所述半导体层的电连接为欧姆接触，其特征在于，所述半导体层包括一绝缘高分子材料及分散于该绝缘高分子材料中的多个碳纳米管。本发明还涉及所述肖特基二极管的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管，其包括：一第一金属层，一半导体层及一第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层间隔设置并分别与所述半导体层电连接，所述第一金属层与所述半导体层的电连接为肖特基接触，所述第二金属层与所述半导体层的电连接为欧姆接触，其特征在于，所述半导体层包括一绝缘高分子材料及分散于该绝缘高分子材料中的多个碳纳米管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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