[发明专利]发光二极管封装结构的形成方法及其基座的形成方法无效
| 申请号： | 201110215557.3 | 申请日： | 2011-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102903803A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 柯志勋;蔡明达 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管封装结构基座的形成方法，其包括以下几个步骤：提供第一电极及第二电极；提供一模具，其包括下模及上模，该下模开设形成一收容槽，该上模包括一芯件及围绕该芯件设置的挡壁，该芯件与下模相对的表面上开设形成一凹槽；将第一电极和第二电极相互间隔设置在下模的收容槽中，然后将芯件覆盖在第一电极及第二电极上，且芯件的凹槽连通第一电极与第二电极之间的间隙，最后将挡壁围绕芯件设置在下模上；由挡壁与芯件之间的通道向下模收容槽中注入液体成型材料；凝固成型后撤去下模和上模，形成基座，其中凹槽中的成型材料凝固形成挡墙，而挡壁与芯件间的通道中的成型材料凝固形成容置杯。本发明还提供一种发光二极管封装结构的形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 形成 方法 及其 基座 | ||
【主权项】：
一种发光二极管封装结构基座的形成方法，其包括以下几个步骤：提供第一电极及第二电极；提供一模具，该模具包括下模及上模，该下模上开设形成一收容槽，该上模包括一芯件以及围绕该芯件设置的挡壁，该芯件与下模相对的表面上开设形成一凹槽；将第一电极和第二电极相互间隔设置在下模的收容槽中，然后将上模的芯件覆盖在第一电极及第二电极上，且芯件的凹槽连通第一电极与第二电极之间的间隙，最后将挡壁围绕所述芯件设置在下模上；由挡壁与芯件之间形成的通道向下模的收容槽中注入液体成型材料；及凝固成型后撤去下模和上模，形成基座，其中凹槽中的液体成型材料凝固形成一挡墙，而挡壁与芯件之间的通道中的液体成型材料凝固形成容置杯。
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