[发明专利]一种用晶核预控制激光晶化法制备多晶硅薄膜材料的方法

摘要

一种用晶核预控制激光晶化法制备多晶硅薄膜材料的方法，步骤如下：1）在石英玻璃衬底上沉积晶化前驱物；2）在晶化前驱物表面涂覆亲和剂，然后在其表面附着镍盐溶液；3）用激光器的激光照射，使其晶化为大晶粒多晶硅，大晶粒的平均粒径为1-20微米；4）将晶化后的多晶硅进行热退火处理，热退火温度为400-600℃，热退火时间为1-2h。本发明的优点是：适用于在大面积衬底上流水线操作制备高质量多晶硅薄膜材料，并可以通过控制旋甩转速和旋甩时间或者浸蘸时间和浸蘸后的喷淋时间以及改变镍盐溶液的浓度来改变晶化效果；该制备工艺简单、成本低；该多晶硅薄膜可用于制备多晶硅薄膜晶体管和多晶硅晶体管电路，具有重要的实用价值。

主权项

一种用晶核预控制激光晶化法制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于包括如下步骤：1）在石英玻璃衬底上沉积晶化前驱物；2）在晶化前驱物表面涂覆亲和剂，然后在涂有亲和剂的晶化前驱物表面附着镍盐溶液，并风干；3）用激光器的激光照射上述晶化前驱物，使其晶化为大晶粒多晶硅，大晶粒多晶硅的形状为条形、多边形或圆形，大晶粒的平均粒径为1‑20微米；4）将晶化后的多晶硅进行热退火处理，热退火温度为400‑600℃，热退火时间为1‑2h。