[发明专利]一种半导体场效应晶体管结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201110212835.X | 申请日： | 2011-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN102903750A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 周华杰;徐秋霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体场效应晶体管结构及其制备方法，该方法包括：形成具有体接触孔的绝缘体上硅(SOI)结构的半导体衬底；在所述绝缘体上硅(SOI)结构的半导体衬底上形成鳍片；在所述鳍片顶部和侧面形成栅堆叠结构；在所述栅堆叠结构两侧的鳍片中形成源/漏结构；金属化。本发明采用传统的基于准平面的自顶向下工艺实现了与CMOS平面工艺的良好兼容，并且易于集成，有利于抑制短沟道效应，推动MOSFETs尺寸往小尺寸方向发展。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 场效应 晶体管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体场效应晶体管结构，包括：鳍片，该鳍片位于埋层隔离介质层上，同时鳍片的沟道区域底部通过体接触与衬底相连；隔离介质层，该隔离介质层将鳍片除通过体接触与衬底相连的沟道区域之外的区域与衬底隔离开；体接触，该体接触将至少所述鳍片的所述沟道区域的一部分与衬底形成直接的物理和电学接触；栅电极，栅电极的方向与鳍片的方向垂直，鳍片与栅电极相交的区域形成沟道；栅电极与鳍片之间存在栅介质；源漏区域，位于沟道区域及栅电极的两侧。
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