[发明专利]一种用于单晶硅太阳电池的陷光结构有效
| 申请号： | 201110212439.7 | 申请日： | 2011-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN102332477A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 符黎明;陈培良;章圆圆;徐勇 | 申请（专利权）人： | 常州时创能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人： | 刘冬梅 |
| 地址： | 213300 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于单晶硅太阳电池的陷光结构，涉及利用金属纳米颗粒的表面等离子激元效应和绒面散射双重吸收增强机制。其特征在于，所述的陷光结构包括：制绒的晶硅衬底(5)、在所述晶硅衬底(5)上的掺杂层(4)、在所述掺杂层(4)上的纳米钝化层(3)、在所述钝化层(3)上的纳米树脂层(1)以及纳米树脂层(1)内部的金属纳米颗粒(2)。本发明既能使单晶硅太阳电池获得优异的陷光效果，又无需引入额外的界面从而增加界面缺陷和载流子复合中心，同时从光学和电学两个层面确保提高晶硅太阳电池的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 单晶硅 太阳电池 结构 | ||
【主权项】：
一种用于单晶硅太阳电池的陷光结构，涉及利用金属纳米颗粒的表面等离子激元效应和绒面散射双重吸收增强机制。其特征在于，所述的陷光结构包括：制绒的晶硅衬底(5)、在所述晶硅衬底(5)上的掺杂层(4)、在所述掺杂层(4)上的纳米钝化层(3)、在所述钝化层(3)上的纳米树脂层(1)以及纳米树脂层(1)内部的金属纳米颗粒(2)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
