[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201110208118.X | 申请日： | 2011-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN102468341A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 王盛民;尹柱善;徐泰安;金正晥 | 申请（专利权）人： | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;王艳春 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种氧化物半导体薄膜晶体管包括：栅极电极，栅极电极位于衬底上并具有第一面积；栅极绝缘层，栅极绝缘层位于栅极电极上并覆盖栅极电极；有源层，有源层位于栅极绝缘层上并具有小于第一面积的第二面积；源极电极，源极电极位于有源层上并接触有源层的源极区域；漏极电极，漏极电极位于有源层上并接触有源层的漏极区域；以及钝化层，钝化层覆盖有源层、源极电极、以及漏极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括：栅极电极，所述栅极电极位于衬底上并具有第一面积；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述栅极电极上并覆盖所述栅极电极；有源层，所述有源层位于所述栅极绝缘层上并具有小于所述第一面积的第二面积；源极电极，所述源极电极位于所述有源层上并接触所述有源层的源极区域；漏极电极，所述漏极电极位于所述有源层上并接触所述有源层的漏极区域；以及钝化层，所述钝化层覆盖所述有源层、所述源极电极、以及所述漏极电极。
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