[发明专利]一种激光加工中晶圆片定位误差的校正方法

摘要

本发明公开了属于半导体制造技术范围的一种激光加工中晶圆片定位系统误差的校正方法。通过使用电阻或者晶体管之类的特定的微测试结构来捕捉和记录激光光束的扫描路径，通过测量微测试结构的电特性来提取芯片阵列相对于激光扫描路径的系统性的定位位置差，并由放置晶圆片的精密机械手或者加工片台进行附加的移动而补偿位置，通过量测所制作的微结构的电学特性，可掌握晶圆片对准系统性误差的量级与特质，最后借助精密机械手或者扫描片台的附加移动，来校正晶圆片对准的系统性误差，取得均匀一致的激光加工效果。

主权项

一种激光加工中晶圆片定位系统误差的校正方法，其特征在于，在进行激光退火的处理时的步骤如下：1)首先在晶圆片边缘制备微测试结构，构成测试芯片；当经过初始对准的晶圆片放置到片台上之后，由精密机械手或者片台执行附加的位置移动，使晶圆片处于校正后的正确的位置；2)机械手或者片台的附加的移动是根据校正参数来进行的，校正参数置于校正参数表中；3)经过校正之后，确认晶圆片上芯片阵列的横向是否与加工片台或者激光束的横向移动方向平行，晶圆片上芯片阵列的纵向是否与加工片台或者激光束的纵向步进的方向平行，并且芯片阵列相对于激光扫描运动的纵、横方向无额外的旋转，在这种情况下，就可以进行加工质量有保障的激光扫描，或者步进扫描式的加工处理。