[发明专利]一种基于电镀工艺改善Sn-Ag焊料性能的方法有效
| 申请号： | 201110203161.7 | 申请日： | 2011-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN102306631A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 王栋良;罗乐;徐高卫;袁媛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/00;C25D5/10 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于电镀工艺改善Sn-Ag焊料性能的方法，其特征在于首先以硅片为基底，热氧化形成二氧化硅绝缘层，在二氧化硅绝缘层上真空溅射TiW/Cu，之后依次电镀Cu或Ni、Sn-Ag和In，Cu层厚度为3-5微米，而后Sn-Ag焊料电镀之后接着电镀约为Sn-Ag焊料厚度1/10的In。最后回流以促使Sn、Ag和In原子混合均匀。本发明针对微电子封装中Cu与Sn-Ag之间焊接温度高、Sn-Ag焊料润湿性差以及焊料中容易出现大块Ag3Sn等缺陷，结合微电子封装中经常使用的电镀工艺，采用在Sn-Ag电镀之后接着电镀一薄层In的方法很好地解决了Sn-Ag焊料的上述缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 电镀 工艺 改善 sn ag 焊料 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种基于电镀工艺改善Sn‑Ag焊料性能的方法，其特征在于：(1)首先在硅片上热氧化形成一层二氧化硅，接着在形成的二氧化硅层上溅射TiW/Cu，分别作为粘附层和电镀种子层；(2)在电镀种子层上电镀Cu或Ni作为焊料下金属层，然后依次电镀作为焊料的Sn‑Ag和In，之后回流镀层，以促使Sn、Ag和In不同原子相互混合均匀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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