[发明专利]使用脒基金属的原子层沉积

摘要

金属薄膜在均匀厚度和优良阶梯覆盖下沉积。铜金属薄膜通过交替量的N，N′-二异丙基乙脒铜(I)和氢气的反应沉积在加热的底材上。钴金属薄膜通过交替量的N，N′-二异丙基乙脒钴(II)和氢气的反应沉积在加热的底材上。这种金属的氮化物和氧化物可分别用氨或水蒸气代替氢气形成。细孔中的薄膜具有非常均匀的厚度和良好的阶梯覆盖。合适的应用包括微电子器件中和磁信息存储器件中磁致电阻的电连接。

主权项

1.一种沉积材料的方法，所述方法包括：使第一种试剂的蒸气暴露于底材，其中第一种试剂包含由如下通式表示的化合物：(i)通式的二聚体或单体单元的低聚物，其中M选自金属铜、银、金、铱、锂和钠；(ii)通式或其低聚物，其中M′选自钴、镍、钌、锌、钛、铕、锶和钙；或(iii)通式或其低聚物，其中M″选自镧、镨和其它镧系元素金属、钇、钪、钛、钒、铬、铁、钌、钴、铑、铱和铋；其中R¹、R¹′、R¹″、R²、R²′和R²″独立地表示烷基、烯基、炔基、三烷基甲硅烷基或其它非金属原子或基团，和R³、R³′和R³″独立地表示氢、烷基、烯基、炔基、三烷基甲硅烷基或其它非金属原子或基团，但是排除：(i)当M为锂时，R³和R³′为甲基、正丁基或叔丁基；和(ii)当M为锂或钠时，R³和R³′为三烷基甲硅烷基。