[发明专利]基于氧化锌和高电子迁移率晶体管生物传感器及制备方法无效
| 申请号： | 201110199584.6 | 申请日： | 2011-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN102313765A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 张跃;宋宇;雷洋;闫小琴;罗宁;刘羲 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26 |
| 代理公司： | 北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙) 11296 | 代理人： | 朱元萍 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于氧化锌和高电子迁移率晶体管生物传感器及制备方法，属于纳米材料应用领域。其特征是：使用分子束外延（MBE）系统来制备AlGaAs/GaAsHEMT层状结构。然后使用热蒸镀的方法来制备镍/锗金/镍/金合金电极，再在器件表面沉积二氧化硅绝缘层，即可获得AlGaAs/GaAsHEMT。气固法用于制备T-ZnO。将T-ZnO修饰在HEMT的栅极上，并依次在T-ZnO层上滴加生物酶溶液与Nafion溶液。制备好的器件置于低温中保存一段时间，既可以用来对相对应的生物溶液进行溶液浓度探测。本发明优点是：制备出的器件可以通过在栅极修饰不同的生物酶来探测相对应的生物溶液的浓度，灵敏度高，探测极限低，探测范围广，响应速度快，结构简单，性能稳定，为以后的实际应用提供了可能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氧化锌 电子 迁移率 晶体管 生物 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于氧化锌和高电子迁移率晶体管生物传感器，其特征在于以AlGaAs/GaAs 高电子迁移率晶体管简称HEMT为基底，并依次使用微米级四针状氧化锌即T‑ZnO、葡萄糖酶或尿酸酶以及Nafion进行栅极修饰。
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