[发明专利]发光二极管封装结构有效
| 申请号： | 201110198226.3 | 申请日： | 2011-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102255034A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 杨华;卢鹏志;谢海忠;于飞;郑怀文;薛斌;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种发光二极管封装结构，包括：一绝缘衬底的两侧开有通孔，并填充有导电金属；一n型层制作在绝缘衬底上，其上开有一孔，并填充有导电金属；一有源层制作在n型层上；一p型层制作在有源层上；一隔离层位于前述n型层、有源层和p型层的一侧并覆盖部分p型层的上表面；一p电极覆盖隔离层，并覆盖部分p型层的上表面；一n电极制作在n型层上面的一侧，与绝缘衬底上的通孔中的导电金属连接；一第一背电极制作在绝缘衬底的背面的一侧，该第一背电极通过绝缘衬底上的通孔中的导电金属与p电极连接；一第二背电极制作在绝缘衬底的背面的另一侧，该第二背电极通过绝缘衬底上的通孔中的导电金属与n电极连接；前述各部分形成器件的基底；一光学元件封装于基底上，完成器件的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管封装结构，包括：一绝缘衬底，该绝缘衬底上面的两侧开有通孔，该通孔中填充有导电金属；一n型层，该n型层制作在绝缘衬底上，并覆盖绝缘衬底的大部分面积，使绝缘衬底的一侧形成一台面，该台面的另一侧的n型层上与绝缘衬底的通孔配合开有一孔，该孔中填充有导电金属；一有源层，该有源层制作在n型层上，该有源层的面积小于n型层的面积，而位于n型层的一侧；一p型层，该p型层制作在有源层上；一隔离层，该隔离层位于前述n型层、有源层和p型层的一侧并覆盖部分p型层的上表面；一p电极，该p电极覆盖隔离层，并覆盖部分p型层的上表面，该p电极与绝缘衬底上的通孔中的导电金属连接；一n电极，该n电极制作在n型层上面的一侧，与绝缘衬底上的通孔中的导电金属连接；一第一背电极，该第一背电极制作在绝缘衬底的背面的一侧，该第一背电极通过绝缘衬底上的通孔中的导电金属与p电极连接；一第二背电极，该第二背电极制作在绝缘衬底的背面的另一侧，该第二背电极通过绝缘衬底上的通孔中的导电金属与n电极连接；前述各部分形成器件的基底；一光学元件，该光学元件封装于基底上，完成器件的制作。
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