[发明专利]一种低温烧结低损耗铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法有效
| 申请号： | 201110193773.2 | 申请日： | 2011-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN102329133A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 李月明;李润润;沈宗洋;王竹梅;洪燕;廖润华 | 申请（专利权）人： | 景德镇陶瓷学院 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/622;H01L41/187 |
| 代理公司： | 广州广信知识产权代理有限公司 44261 | 代理人： | 李玉峰 |
| 地址： | 333001 江西省景*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低温烧结低损耗铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，以通式(1-x)K0.49Na0.51NbO3-xLiSbO3-y低温熔剂表示，其中x表示掺杂的LiSbO3的摩尔分数，0.01≤x≤0.09；y表示低温熔剂对K0.49Na0.51NbO3-LiSbO3的重量百分比，0.1％≤y≤5％；所述低温熔剂按重量百分比其组成为Na2O 5～14％、K2O 2～10％、B2O3 30～42％、SiO2 18～23％、CaO 1～10％、SrO 1～10％、BaO 10～20％、CuO 1～12％。本发明还公开了上述铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的制备方法。本发明在有效降低陶瓷烧结温度、扩大烧成温度范围的同时，大幅度降低了陶瓷的介电损耗，提高了陶瓷的压电性能，使得铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的性能得到了显著的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 烧结 损耗 铌酸钾钠基无铅 压电 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低温烧结低损耗铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，其特征在于：以通式(1‑x)K0.49Na0.51NbO3‑xLiSbO3‑y低温熔剂表示，其中x表示掺杂的LiSbO3的摩尔分数，0.01≤x≤0.09；y表示低温熔剂对K0.49Na0.51NbO3‑LiSbO3的重量百分比，0.1％≤y≤5％；所述低温熔剂按重量百分比其组成为Na2O 5～14％、K2O 2～10％、B2O3 30～42％、SiO2 18～23％、CaO 1～10％、SrO 1～10％、BaO 10～20％、CuO 1～12％。
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