[发明专利]一种三维微/纳结构的流体介电泳力扫描压印成形方法无效

专利信息
申请号: 201110192995.2 申请日: 2011-07-11
公开(公告)号: CN102279519A 公开(公告)日: 2011-12-14
发明(设计)人: 丁玉成;邵金友;刘红忠;李祥明;田洪淼;黎相孟 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人: 贺建斌
地址: 710049 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种三维微/纳结构的流体介电泳力扫描压印成形方法,先加工导电模具,在模具上匀胶,再进行探针电极扫描填充,最后阻蚀胶转移,得到具有三维结构的微/纳米图案,本发明使聚合物在模具的不同位置实现不同深度的填充,能够复制出三维微/纳结构。
搜索关键词: 一种 三维 结构 流体 电泳 扫描 压印 成形 方法
【主权项】:
一种三维微/纳结构的流体介电泳力扫描压印成形方法,其特征在于,包括下列步骤:1)加工导电模具,在硅片或石英上刻蚀出具有微米或纳米级图案结构,然后在图案结构的表面顺序制备一透明导电层和介电层,透明导电层的厚度为50nm,介电层的厚度为模具腔体宽度的1/10~1/100,透明导电层为氧化铟锡ITO,介电层为SiO2,当导电模具采用硅片时,无需再淀积透明导电层,其介电层通过热氧工艺获得,2)在导电模具上匀胶,在导电模具上旋涂紫外光固化胶、热固化胶或热熔胶,胶的厚度为模具腔体深度的2倍,3)探针电极扫描填充,将探针电极插入或接触阻蚀胶薄膜,在导电模具和探针电极间施加直流电压,电压大小以介电层不被击穿为限,然后移动探针电极,则探针电极扫描过的模具腔体会被聚合物填充进去,4)阻蚀胶转移,将目标基底覆盖在阻蚀胶膜上,然后将阻蚀胶固化,固化后脱模,即可得到具有三维结构的微/纳米图案,目标衬底为硅或石英。
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